IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小

產(chǎn)品型號：CM600DY-24A
廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
更新時間：2024-01-19
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詳細介紹

北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600DY-24A

IC ...................................................................600A
VCES ......................................................... 1200V
Insulated Type
2-elements in a pack

第5代A系列IGBT模塊
采用CSTBTTM硅片技術(shù)
飽和壓降低、短路承受能力強、驅(qū)動功率小
比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15%
成本優(yōu)化的封裝
內(nèi)置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小
功率循環(huán)能力顯著改善

日本三菱 IGBT 模塊600V/2U系列：
CM50DY-12H	CM75DY-12H	CM75DU-12H	CM100DY-12H	CM100DU-12H
CM100DUS-12F	CM150DY-12H	CM150DU-12H	CM150DUS-12F	CM150DY-12NF
CM200DY-12H	CM200DY-12NF	CM200DU-12H	CM200DUS-12F	CM600DU-5F
CM300DJB-060	CM300DY-12H	CM300DY-12NF	CM300DY-12E	CM300DY-12
CM300DY-12G	CM300DU-12H	CM300DU-12NF	CM350DU-5F	CM400DU-5F
CM400DY-12H	CM400DU-12NF	CM400DY-12	CM400DY1-12H	CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E	CM50E3U-12E	CM75E3U-12E	CM75E3Y-12E	CM100E3U-12E
CM100E3Y-12E	CM150E3Y-12E	CM150E3U-12E	CM200E3Y-12E	CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E	CM300E3U-12E	CM300E2U-12H	CM400YE2P-12F	CM400YE2N-12F
CM300YE2N-12F	CM300YE2P-12F	CM600YE2N-12F	CM600YE2P-12F	CM110YE4-12F
CM150YE4-12F	CM165YE4-12F	CM200YE4-12F	CM600DY-12NF	CM800DU-12H
CM50DY-12E	CM75DY-12E	CM75DU-12F	CM100DY-12E	CM100DU-12F
CM150DY-12E	CM150DU-12F	CM200DY-12E	CM200DU-12F	CM300DU-12F
CM400DU-12H	CM400DU-12E	CM400DY1-12E
日本三菱 IGBT模塊 200V/1400V/2U系列：
CM50DY-24H	CM50DU-24H	CM75DY-24H	CM75DU-24H	CM100DU-24H
CM100DU-24NFH	CM100DY-24A	CM100DC-24NFM	CM100DC1-24NFM	CM100DY-24E
CM100DY-24NF	CM100DK-24E	CM100DY-34A	CM100DU-34NF	CM150DU-34KA
CM150DY-34A	CM150DU-24H	CM150DU-24NFH	CM150DY-24A	CM150DC-24NFM
CM150DC1-24NFM	CM150DY-24H	CM150DY-24NF	CM150DY-24E	CM150DK-24E
CM200DY-24H	CM200DY-24NF	CM200DY-24A	CM200DC-24NFM	CM200DC1-24NFM